其基本原理是在真空和低壓下,將ICP射頻電源產生的射頻輸出到環形耦合線圈,并將一定比例的混合蝕刻氣體耦合到輝光放電產生高密度等離子體,在射頻的作用下施加到下電極的射頻上,這些等離子體轟擊下電極在基板表面,基板圖案區域內半導體材料的化學鍵被破壞,揮發性物質隨蝕刻氣體產生,以氣體的形式與基板分離,并從真空管道中抽離。
金屬蝕刻設備的工作原理及適用范圍化學蝕刻是利用化學溶液通過化學反應達到蝕刻的目的。化學蝕刻機是通過化學反應或物理沖擊去除材料的技術。
電蝕是利用金屬陽極溶解的原理,以自來水或鹽水為腐蝕主體(在電解作用下)在液體中對金屬進行腐蝕并接通腐蝕電源,從而達到腐蝕的目的。
優點:無污染,但只有一步蝕刻不無污染,其他工藝也必須無污染,適合實驗性生產,小面積蝕刻凹字。它主要用于科研實驗機上,或簡單地在金屬上蝕刻痕跡,又稱電痕。
缺點:蝕刻表面不平,大面積腐蝕慢,不能用于批量生產,大面積蝕刻凸字,也不能用于標志的批量生產和加工。
金屬蝕刻設備主要用于航空、機械和標簽行業。刻蝕技術廣泛應用于傳統加工方法難以加工的輕型儀表板、銘牌和薄工件的加工。在半導體和電路板的制造過程中,刻蝕是一項不可缺少的技術。現廣泛應用于金卡標簽加工、手機按鍵加工、不銹鋼濾光片加工、不銹鋼電梯裝飾板加工、金屬引線框加工、金屬眼鏡腳線加工、電路板加工、金屬裝飾板加工等工業應用。